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高频超高频RF工艺

高频超高频RF工艺

随着硅基CMOS工艺技术特征尺寸的减小,MOSFET的截至频率fT越来越高,40nm CMOS这一代技术中NMOS的ft已超过200GHz,在逻辑CMOS工艺技术平台上,研发多叉指MOSFET,变容器和高Q值无源器件,可以应用于很多高频超高频(微波、毫米波频段)电路设计和产品开发应用。

其中,bulk RF CMOS工艺平台与逻辑工艺完全兼容,采用bulk CMOS工艺平台可以设计包含中央处理器、高速数字处理器、射频前端、基带芯片等各种模块的单芯片解决方案,大大降低系统的芯片数,减小测试验证成本,最终减小系统体积与功耗,降低系统成本。 

ICRD40LP平台上开发用于高频超高频应用的MOS器件,变容器与电感、传输线等无源器件,其中NMOS fT高达210GHz,在77GHz典型应用频率上,器件增益接近10。传输线电感Q值达到10,是5G通讯、汽车防碰撞雷达、短距离数据传输等应用场景电路设计的有效支持平台。


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                             片上电感                                                                  NMOS晶体管增益 Vs 频率 @不同偏压条件